ГАРГ Аджай К. (IN)

 Группа изобретений относится к химико-механической планаризации (ХМП) для удаления слоя металла при незатронутой поверхности непроводящего материала при подготовке полупроводниковых изделий. Способ химико-механической планаризации предусматривает полирование подложки, содержащей металл и непроводящий материал, при использовании абразива, который представляет собой порошок оксида алюминия,...