ТАНИКЕЛЛА Брахманандам В. (US)

 Группа изобретений относится к химико-механической планаризации (ХМП) для удаления слоя металла при незатронутой поверхности непроводящего материала при подготовке полупроводниковых изделий. Способ химико-механической планаризации предусматривает полирование подложки, содержащей металл и непроводящий материал, при использовании абразива, который представляет собой порошок оксида алюминия,...

Изобретение относится к области обработки поверхностей сапфировых подложек шлифованием. Способ включает шлифование поверхности каждой сапфировой подложки с использованием абразива, так что первая поверхность имеет ориентацию в с-плоскости. Партия сапфировых подложек содержит по меньшей мере 20 подложек, причем каждая сапфировая подложка имеет первую поверхность, которая имеет (i) ориентацию в с-п...

Изобретение относится к изготовлению сапфировых подложек и к технологии их чистовой обработки. Предлагается сапфировая подложка, которая содержит плоскую поверхность, имеющую кристаллографическую ориентацию, выбранную из группы, в которую входят ориентации в а-плоскости, r-плоскости, m-плоскости и с-плоскости, и которая имеет nTTV ориентировочно не более 0,037 мкм/см2, причем nTTV представляет со...

Изобретение относится к способу механической обработки сапфировой подложки. Способ включает шлифование первой поверхности сапфировой подложки с использованием первого связанного абразива, шлифование второй поверхности сапфировой подложки, противоположной первой поверхности, и шлифование указанной первой поверхности сапфировой подложки с использованием второго связанного абразива, отличного от пер...

Изобретение относится к монокристаллическим подложкам и способам отделки таких подложек. Техническим результатом является получение высококачественных подложек большего размера. Способ изменения кристаллографической ориентации монокристаллического тела включает этапы определения параметров кристаллографической ориентации монокристаллического тела и расчет угла разориентации между выбранным криста...