Рябчиков А.И.

 Изобретение относится к рентгеновскому анализу состава вещества, особенно к микроанализу с возбуждением рентгеновского излучения определяемых элементов пучком ионов. Цель изобретения - повышение точности анализа за счет контроля энергии ионов. Способ включает попеременное облучение потоком ионов образца анализируемого вещества и стандартного образца из двухкомпонентного материала, содержа...

 Изобретение относится к разработке источников ионов и может найти применение в радиационной физике, для модификации физико-химических свойств металлов и сплавов, диэлектриков и полупроводников методом ионной имплантации. Цель изобретения - упрощение устройства. Источник ионов содержит цилиндрические коаксиально расположенные анод, поджигающий электрод, катододержатель, катод, выполненный...

 Изобретение может быть использовано для модификации поверхности изделий из металлов и сплавов. Цель изобретения повышение качества обработки и достигается путем формирования совпадающих по глубине профилей распределения примесей. Для этого подачей импульсного напряжения на катодный промежуток инициируют слаботочный вакуумно - дуговой разряд, затем подачей напряжения между анодом и коллект...

  Изобретение относится к технической физике, в частности к радиационному материаловедению, и может быть использовано для улучшения электрофизических, химических и механических свойств приповерхностных слоев металлов и сплавов, полупроводников и др. материалов. Цель изобретения расширение функциональных возможностей и повышение точности измерения дозы внедренной примеси при имплантации. Ус...

 Изобретение относится к радиационному материаловедению и предназначено для обработки поверхности различных конструкционных материалов. Целью изобретения является улучшение механических характеристик поверхности за счет уменьшения коэффициента распыления. Обработка поверхности осуществляется путем имплантации ионного пучка с плотностью мощности 1-103 Вт/см2 с предварительным облучением пов...

 Использование: изобретение относится к химической физике, в частности к радиационному материаловедению, и предназначено для улучшения электрофизических, химических и механических свойств поверхности изделий из металлов и сплавов, полупроводников, диэлектриков, сверхпроводников и других материалов. Сущность изобретения: путем выбора соотношения времен разрядного р и ускоряющего у импульсов...

 Сущность изобретения: устройство представляет собой жалюзную систему электродов, располагаемую на пути плазменного потока и подключенную к положительному выводу источника напряжения, вторым выводом подключенного к аноду дугового испарителя. Жалюзийные электроды выполнены в виде постоянных магнитов с проводящим покрытием, торцы которых с обеих сторон системы закрыты защитными экранами, эле...

 Устройство для очистки плазмы дугового испарителя от микрочастиц представляет собой жалюзийную систему электродов, располагаемую на пути плазменного потока и подключенную к аноду дугового испарителя. Электроды соединены между собой последовательно и встречно и подключены к источнику тока. Во втором варианте система электродов представляет собой неаксиальный набор электродов конической фор...

 Устройство для очистки плазмы дугового испарителя от микрочастиц относится к плазменному нанесению покрытий и предназначено для улучшения качества покрытий, наносимых с помощью вакуумно-дуговых испарителей. Устройство содержит жалюзную систему электродов, наклоненных к оси испарителя так, что электроды полностью перекрывают аппертуру испарителя. Электроды электрически соединены между собо...

 Способ импульсно-периодической ионной и плазменной обработки изделий и устройство для его осуществления относятся к области технической физики и предназначены для изменения свойств поверхностных слоев изделий путем ионной имплантации или плазменным осаждением покрытий в условиях импульсно-периодической ионной имплантации. Способ предусматривает поочередную обработку изделий плазмой дугово...