PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Югай К.К.

Изобретатель Югай К.К. является автором следующих патентов:

Способ формирования многослойных структур с разными электрофизическими свойствами

Способ формирования многослойных структур с разными электрофизическими свойствами

 Использование: сверхпроводниковая техника, при получении многослойных структур типа сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник, сверхпроводник-нормальный проводник-сверхпроводник, сверхпроводник-изолятор-нормальный проводник-изолятор-сверхпроводник и так далее, а также при изготовлении сверхпроводниковых устройств микроэлектроники: трансформаторов магнитного потока, джозефсоновских контактов,...

2107973

Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик и способ его изготовления

Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик и способ его изготовления

 Использование: при разработке высокочувствительных сверхпроводящих датчиков магнитного потока и детекторов электромагнитного поля. Сущность изобретения: в сверхпроводящем квантовом интерференционном датчике, содержащем электроды и мостики из сверхпроводящего материала, электроды и мостики выполнены из монокристаллической эпитаксиальной сверхпроводящей пленки YВаСuО толщиной 10 - 25 нм. Эл...

2133525

Сквид-магнитометр на высокотемпературных пленках

Сквид-магнитометр на высокотемпературных пленках

 Изобретение относится к электронным устройствам, использующим высокочувствительные системы на базе пленочных высокотемпературных ПТ-СКВИДов. Предложен СКВИД-магнитометр на высокотемпературных пленках, содержащий приемный контур, контур связи для введения магнитного потока в измерительный контур, включающий ПТ-СКВИД с элементами Джозефсона. Магнитометр изготовлен на одном слое ВТСП пленки...

2184407

Способ формирования многослойных структур из материала yвaсuо с двух сторон подложки

Способ формирования многослойных структур из материала yвaсuо с двух сторон подложки

 Изобретение относится к сверхпроводниковой технике, в частности к формированию структуры типа SIS. Предложен способ формирования многослойных структур из материала YBaCuO с двух сторон подложки методом лазерной абляции. Способ характеризуется следующим: подложку устанавливают внутри цилиндрической печи на держателе со смещенным центром тяжести на расстоянии 1-3 см от мишени, держатель фик...

2189090

Способ создания слабых связей в системах на пленочных втсп- сквидах

Способ создания слабых связей в системах на пленочных втсп- сквидах

 Изобретение относится к способам создания слабых связей, используемых в высокочувствительных системах на пленочных YBaCuO ВТСП-сквидах. Предложен способ, заключающийся в том, что в тонких сверхпроводящих пленках в области слабых связей создают механические напряжения, не подвергающиеся релаксации в процессе эксплуатации указанных систем, при этом механические напряжения создают термически...

2199796