Волосов В.И.

 Использование: электрофизика, в частности в системах, служащих для получения ионов тяжелых атомов с относительно невысокой энергией (от 1-3 до 10 эВ), используемых, например, для разделения изотопов. Сущность изобретения: для генерации ионов используется известная магнитная ловушка с вращающейся плазмой, в которой реализуется разряд с образованием тяжелых ионов. Магнитная ловушка содержит...

 Изобретение относится к электрофизике, в частности к системам, служащим для разделения изотопов, например, для разделения тяжелых изотопов. В состав установки входит источник ионов на основе магнитной ловушки с вращающейся плазмой, который позволяет получить плазменный поток малого радиального размера (размер плазмы порядка ларморовского радиуса иона), система ионно-циклотронного резонанс...

 Изобретение относится к радиационному материаловедению и предназначено для улучшения электрофизических, химических и механических свойств поверхности изделий из различных материалов. Установка для имплантации обеспечивает повышение производительности, чистоты получаемых имплантируемых потоков, повышение площади имплантируемых поверхностей без применения сканирующих устройств и повышение у...

 Изобретение относится к электрофизике, в частности к системам, служащим для получения потоков частиц, используемых, например, для вакуумного нанесения тонких пленок. В качестве источника многокомпонентных атомарных потоков, состоящих из потока тяжелых атомов с энергией распыления, и потока быстрых атомов с энергией, определяемой напряжением на разряде, применяется ловушка с вращающейся пл...

 Изобретение относится к технической физике и может быть использовано в любой отрасли для улучшения электрофизических, химических и механических свойств поверхности изделий. Техническим результатом является снижение энергии иона для улучшения энергетических параметров способа и улучшения качества обрабатываемых поверхностей. В способе имплантации тяжелых атомов в твердое тело тяжелые атомы...

 Изобретение относится к электрофизике, в частности к системам, служащим для высокочастотного (ВЧ) нагрева плазмы в установках для разделения изотопов методом ионно-циклотронного нагрева. Техническим результатом является улучшение эффективности нагрева резонансных ионов. Антенна для ионно-циклотронного резонансного (ИЦР) нагрева ионов в системе разделения изотопов выполнена в виде катушки...

 Изобретение относится к технической физике, в частности к способу вакуумного нанесения тонких пленок на поверхность твердого тела. Изобретение направлено на снижение затрат на производство, реализующее вышеуказанный способ, включая эксплуатационные расходы, повышение производительности и стабильность в работе, а также улучшение качества получаемых тонких пленок. Способ включает одновремен...

 Изобретение относится к электрофизике, в частности к системам, служащим для высокочастотного (ВЧ) нагрева ионов плазмы в установках для разделения изотопов методом ионно-циклотронного резонанса (ИЦР-метод). Изобретение касается использования соленоидальной антенны совместно с вложенным внутрь антенны экраном-формирователем, состоящим из однооборотного металлического витка и двух металличе...

 Изобретение относится к области управляемого термоядерного синтеза и предназначено для поддержания требуемого вакуума в термоядерной установке и удаления из нее продуктов синтеза (Не3, Не4) и остатков топлива (Д,Т). Способ удаления изотопов гелия и водорода из вакуумного объема термоядерной установки включает поддержание вакуума с помощью встроенного криогенного насоса и удаление трудноко...

 Изобретение относится к области электрофизики, в частности к системам, служащим для высокочастотного (ВЧ) нагрева ионов плазмы в установках для разделения изотопов методом ионно-циклотронного резонанса (ИЦР-метод). Техническим результатом является увеличение производительности ИЦР-метода разделения изотопов за счет увеличения плотности плазмы, при которой сохраняется однородность нагрева...

 Изобретение предназначено для электрофизики и может быть использовано для разделения тяжелых изотопов. Источник 1 соединен через выпускной канал 3 с системой ионно-циклотронного резонансного нагрева и сбора. Источник ионов 1 создает узкий плазменный поток 2. Выпускной канал 3 ограничивает поперечные размеры образующейся плотной плазмы, имеющей плотность порядка 1012 см-3. ВЧ-антенна элект...