Ефремов М.Д. (RU)

 Использование: в полупроводниковой технологии для создания полупроводниковых структур, в частности, структур кремний-на-изоляторе (КНИ), кремний-на-кремнии (КНК) для производства сверхбольших интегральных схем (СБИС) и других устройств микро- и наноэлектроники. Сущность изобретения: в способе изготовления кремниевых пленок осуществляют введение водорода в рабочую пластину кремния, создава...