Каплунов И.А. (RU)

 Изобретение предназначено для выращивания из расплавов монокристаллов методом Чохральского. Сущность изобретения: выращивание осуществляют с программированием процесса роста по скоростям вращения тигля и затравки, при этом процесс вытягивания монокристалла ведут под углом b к вертикали, соответствующей заданному кристаллографическому направлению, причем величина угла b определяется услови...

Изобретение может быть использовано в ИК-оптике. Сущность изобретения: способ включает выращивание монокристаллов германия из расплава на затравку и последующую термообработку, причем операцию их термообработки проводят без извлечения монокристаллов из установки выращивания при температуре в пределах 1140-1200 К в течение 60-100 часов в температурном поле с направленным по радиусу градиентом темпе...