Филиппов И.М. (RU)

 Изобретение относится к химической технологии, а именно к технологии приготовления шихты для выращивания нового класса упорядоченных четырехкомпонентных соединений галлосиликатов со структурой галлогерманата кальция (Ca3Ga2 Ge4О14), используемых в пьезотехнике. Сущность изобретения: в способе твердофазного синтеза проводят смешивание предварительно прошедших термообработку оксидов элемент...

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов тугоплавких многокомпонентных соединений из расплава методом Чохральского. Монокристаллы алюмината лития LiAlO2, полученные по этому способу, могут быть использованы для изготовления дисков, применяемых в качестве подложек при выращивании эпитаксиальных пленок, в частности пленок нитрида галлия(GaN). Сущность изобретения: процесс получени...

Изобретение относится к химической технологии, а именно к технологии приготовления поликристаллической шихты для выращивания оксидных монокристаллов с вюрцитной структурой состава LiMeO2, использующихся для изготовления подложек для эпитаксиального роста нитрида галлия. Способ получения шихты для выращивания монокристаллов с вюрцитной структурой состава LiMeO2 включает смешивание оксида металла, в...

Изобретение относится к производству акустоэлектронных частотно-избирательных устройств на поверхностных акустических волнах. Сущность изобретения: в качестве монокристалла со структурой галлогерманата кальция в устройствах на ПАВ используют монокристалл, геометрическая ось которого перпендикулярна термостабильному срезу, выращенный методом Чохральского, в котором в качестве затравочного кристалла...