Гиппиус А.А. (RU)

 Изобретение относится к конструкции солнечных элементов. Сущность: предложена конструкция солнечного элемента, содержащего базовую область одного типа проводимости, преимущественно толщиной 30-170 мкм, p-n-переход и контактную гребенку на лицевой стороне, а также сильнолегированный слой того же, что и база, типа проводимости и омический контакт на тыльной стороне, причем сильнолегированны...

Изобретение относится к материаловедению, к защите материалов от внешних и агрессивных воздействий, в частности к покрытию рабочей поверхности солнечного фотоэлектрического элемента (СФЭ) для защиты от химического, радиационного и механического разрушения. Сущность изобретения состоит в том, что в процессе получения алмазоподобных пленок (АПП) для инкапсуляции СФЭ кинетическую энергию ионов, ток п...