Константинов П.Б. (RU)

 Изобретение относится к конструкции солнечных элементов. Сущность: предложена конструкция солнечного элемента, содержащего базовую область одного типа проводимости, преимущественно толщиной 30-170 мкм, p-n-переход и контактную гребенку на лицевой стороне, а также сильнолегированный слой того же, что и база, типа проводимости и омический контакт на тыльной стороне, причем сильнолегированны...

Использование: в полупроводниковой технике при изготовлении супертонких полупроводниковых структур и мембран. Сущность изобретения: в способе обработки полупроводниковых пластин, включающем наклейку пластин на планшайбу с использованием прижима, механическую обработку поверхности пластин, планшайбу выполняют, по крайней мере, с двумя зонами для наклейки пластин, разделенными друг от друга глухими...

Использование: в полупроводниковой технике при изготовлении супертонких полупроводниковых структур, имеющих толщину подложки на уровне 6-50 мкм. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение качества и точности обработки полупроводниковых структур за счет сочетания групповой и индивидуальной технологии и возможности индивидуальной механической обработки полупроводниковых струк...