Илюшин В.А. (RU)

 Изобретение относится к области микроэлектроники и оптоэлектроники. Датчик содержит кремниевую подложку, на которой последовательно расположены мембрана и термопары. Горячие и холодные спаи термопар расположены на тонкой и толстой части мембраны. Термопары соединены в батарею. При этом термопары выполнены из монокристаллического кремния и алюминия, а мембрана выполнена из монокристалличес...

Использование: изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к конструкции датчика давления и способу изготовления. Сущность: емкостной датчик давления содержит кремниевую подложку, в которой сформирована мембрана, на которой последовательно располагаются эпитаксиальный монокристаллический слой фторида кальция, эпитаксиальный слой кремния, слой металлизации и вторая пластина кремни...