Бузанов О.А.

 Изобретение относится к технологии тонкой обработки природных и синтетических ювелирных камней, а именно - к технологии окраски бесцветных вставок из ювелирных камней на основе оксидных материалов. Цель изобретения достигается отжигом вставок из ювелирных камней на основе оксидных кристаллов в специально сконструированных изделиях из корунда в атмосфере инертного газа при температуре 1400...

 Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангалиевого силиката. Задачей, на решение которой направлено данное изобретение, является выращивание монокристаллов ЛГС, не содержащих рассеивающих центров и блоков и пригодных для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Для выращивания монокриста...

 Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката (ЛГС), обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. В данном способе монокристаллы ЛГС выращивают методом Чохральского. Способ включает загрузку в тигель шихты, полученной...

 Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений. Способ позволяет получить монокристаллы диаметром не менее 80 мм и массой более 2,0 кг. Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом Чохральского включает загрузку в тигель предварительно синтезированного материала, соответствующего составу La3Ga5SiO14, и создание защит...