Ларцев И.Ю. (RU)

Использование: для обнаружения и регистрации инфракрасного излучения. Сущность: фотоприемное устройство содержит, по крайней мере, один фоточувствительный элемент, представляющий собой многослойную полупроводниковую гетероэпитаксиальную структуру на основе трехкомпонентного твердого раствора CdHgTe, состоящую из рабочего слоя постоянного состава, соответствующего области чувствительности устройств...

Использование: для регистрации и измерения светового излучения. Фоторезистор на основе гетероэпитаксиальной структуры CdHgTe содержит диэлектрическую подложку, на которой закреплена, по крайней мере, одна подложка чувствительного элемента, выполненная из CdZnTe или GaAs, или Si, с размещенным на ней чувствительным элементом, выполненным в виде гетероэпитаксиальной структуры, состоящей из нижнего в...

Изобретение относится к технике машинного зрения и может быть использовано в фотоприемных устройствах, тепловизорах, радиометрах инфракрасного диапазона, а также в датчиках различных устройств автоматики. Техническим результатом настоящего изобретения является увеличение чувствительности и динамического диапазона. Новым в предложенном устройстве является то, что резистивные фотосенсоры выполнены и...