Перн Джон Ф (US)
Изобретатель Перн Джон Ф (US) является автором следующих патентов:
![Способ получения алмазоподобных пленок для инкапсуляции солнечных фотоэлектрических элементов Способ получения алмазоподобных пленок для инкапсуляции солнечных фотоэлектрических элементов](/img/empty.gif)
Способ получения алмазоподобных пленок для инкапсуляции солнечных фотоэлектрических элементов
Изобретение относится к материаловедению, к защите материалов от внешних и агрессивных воздействий, в частности к покрытию рабочей поверхности солнечного фотоэлектрического элемента (СФЭ) для защиты от химического, радиационного и механического разрушения. Сущность изобретения состоит в том, что в процессе получения алмазоподобных пленок (АПП) для инкапсуляции СФЭ кинетическую энергию ионов, ток п...
2244983