Цеглеев А.А. (RU)

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов тугоплавких многокомпонентных соединений из расплава методом Чохральского. Монокристаллы алюмината лития LiAlO2, полученные по этому способу, могут быть использованы для изготовления дисков, применяемых в качестве подложек при выращивании эпитаксиальных пленок, в частности пленок нитрида галлия(GaN). Сущность изобретения: процесс получени...