Мордвинцев В.М.

  Сущность изобретения: на свободном уровне шаровой засыпки размещают тестовые шары с распределенными по их поверхности датчиками контактного типа, представляющими собой тридцать два электропроводящих участка, электрически изолированных друг от друга и выполненных таким образом, что в контакт с каждым участком может войти только один шар окружающей его электропроводной засыпки. Тестовый ша...

  Сущность изобретения: в корпус 1 модели активной зоны загружают шары 2 имитаторы твэл, формируют структуру шаровой засыпки, производят разборку шаровой засыпки, разбираемые шары разделяют на группы, включающие шары, не выходящие за пределы выделенных локальных объемов 10 и рассекаемые их границами, определяют количество шаров в каждой группе, а пористость рассчитывается по предложенной э...

  Использование: методы исследования тонких пленок и поверхности твердого тела при помощи СТМ. Сущность изобретения: объект помещают в туннельный зазор СТМ, сканируют напряжением U на туннельном зазоре в диапазоне, охватывающем как туннельный, так и эмиссионный режимы работы СТМ с учетом Uкр соответствующего скачку величины зазора в сторону меньших значений при уменьшении U. 2 з. п. ф-лы,...

 Использование: устройства памяти, реализуемые с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность изобретения: элемент устройства памяти включает два металлических электрода, разделенных электроизолирующим зазором, и частицы углеродистой фазы в зазоре, размещенные в среде, содержащей органическое вещество. В структуре обеспечен доступ молекул органического вещества к зазору. Зазор выполне...

 Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность: элемент устройства памяти включает два металлических электрода, разделенных электроизолирующей щелью, и углеродистую проводящую фазу в щели, размещенные в среде, содержащей органическое вещество, таким образом, что обеспечен доступ молекул этого вещества к щели, последовательно угл...

 Использование: в технологии микро- и наноэлектроники, а именно при формировании наноструктур на поверхности твердого тела. Сущность изобретения: проводящий элемент нанометровых размеров формируют между двумя электродами структуры, разделенными изолирующей щелью шириной от 2 до 100 нм. Способ включает введение в изолирующую щель органического материала, проводимость которого меняется при п...