Савасин В.Л.

 Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность: элемент устройства памяти включает два металлических электрода, разделенных электроизолирующей щелью, и углеродистую проводящую фазу в щели, размещенные в среде, содержащей органическое вещество, таким образом, что обеспечен доступ молекул этого вещества к щели, последовательно угл...