Кудрявцев С.Е.

 Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность: элемент устройства памяти включает два металлических электрода, разделенных электроизолирующей щелью, и углеродистую проводящую фазу в щели, размещенные в среде, содержащей органическое вещество, таким образом, что обеспечен доступ молекул этого вещества к щели, последовательно угл...

 Использование: в технологии микро- и наноэлектроники, а именно при формировании наноструктур на поверхности твердого тела. Сущность изобретения: проводящий элемент нанометровых размеров формируют между двумя электродами структуры, разделенными изолирующей щелью шириной от 2 до 100 нм. Способ включает введение в изолирующую щель органического материала, проводимость которого меняется при п...