Иоффе Валерий Моисеевич

 Использование: изобретение относится к области радиоэлектроники и электронной техники. Усилитель сформирован из двух однокаскадных усилителей на полевых транзисторах, каждый из которых содержит цепь нагрузки, цепь смещения, источник питания, общая шина которого заземлена и соединена через резистор и параллельно включенный ему конденсатор с истоком транзистора, вторая шина источника питани...

 Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к варакторам, полупроводниковым приборам, реактивностью которых можно управлять с помощью напряжения. Сущность изобретения: варактор, состоит из рабочей области, выполненной в виде полупроводника электронного либо дырочного типа проводимости, с омическим контактом, на поверхности которого сформирован p-n переход или барьер Шоттк...

 Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к варикапам полупроводниковым приборам, реактивностью которых можно управлять с помощью напряжения. Сущность изобретения: варикап, состоящий из полупроводниковой пленки с омическим контактом, размещенной на подложке противоположного в пленкой типа проводимости или на металлической подложке, образующей с пленкой барьер Шоттки, с...

 Изобретение относится к области электронной техники и микроэлектроники, а именно к линиям передачи. Изобретение может быть использовано при построении линий передачи с регулируемым волновым сопротивлением и длиной. Двухпроводная линия содержит две проводящие полоски, между которыми сформирован изолирующий либо полуизолирующий слой, причем либо в верхней полоске выполнены отверстия в напра...

 Использование: микроэлектроника, при создании параметрических усилителей и генераторов и безинерционных конденсаторов переменной емкости. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор содержит полупроводник в виде пленки с полупроводниковым переходом, сформированным с неоднородным вдоль поверхностной координаты x примесным профилем. На поверхности полупроводника сформированы вдоль поверх...

 Использование: микроэлектроника и полупроводниковая техника. Сущность изобретения: транзистор содержит области эмиттера, базы и коллектора с омическими контактами к ним. Поверх эмиттерного слоя (y < 0), сформированного в рабочей области (0 x x0, F1 (x) z F2(x), 0 y D(x)), выполнен управляющий электрод, который выполнен из полупроводникового материала противоположного с эмиттером...

 Использование: микроэлектроника, полупроводниковые приборы. Сущность изобретения: варикап состоит из полупроводника с омическим контактом, на поверхности которого сформирован p-n-переход с другим контактом. Полупроводник выполнен в виде пленки, размещенной на подложке, под рабочим участком пленки 0 x Xmax, z1(x) z z2(x), в том числе однородно легированным вдоль x и имеющим однородную...