Плотников Ю.И. (RU)
Изобретатель Плотников Ю.И. (RU) является автором следующих патентов:
![Способ контроля электрофизических параметров тонких подзатворных пленок диоксида кремния Способ контроля электрофизических параметров тонких подзатворных пленок диоксида кремния](https://img.patentdb.ru/i/200x200/aaa4f399e4c019ca9fafc02ce77f2ab6.jpg)
Способ контроля электрофизических параметров тонких подзатворных пленок диоксида кремния
Использование: для определения параметров слоев подзатворного диэлектрика. Сущность изобретения: в способе контроля качества тонких слоев подзатворного диэлектрика, позволяющем определять совокупность электрофизических параметров большого количества МДП-структур по всей пластине за один ее обход, измерения предпробойной ВАХ МДП-структуры, напряжения пробоя подзатворного диэлектрика и заряда, инжек...
2248067