ШПАН Герхард (AT)

Изобретение относится к термоэлектрическому преобразованию энергии. Сущность: Термоэлемент содержит по меньшей мере один n-слой и, по меньшей мере, один р-слой одного или нескольких примесных полупроводников. N-слой (слои) и р-слой (слои) расположены таким образом, что образуют, по меньшей мере, один р-n-переход. По меньшей мере, один n-слой и, по меньшей мере, один р-слой селективно контактируют...

Изобретение относится к термоэлектрическому преобразованию энергии. Сущность: термоэлектрический элемент содержит, по меньшей мере, одну термопару и один рn-переход. Термопара содержит первый материал с положительным коэффициентом Зеебека и второй материал с отрицательным коэффициентом Зеебека. Первый материал (1) через металлический проводник (6) селективно контактирует с р-областью (4) рn-перех...

Изобретение относится к термоэлектричеству. Сущность: термоэлектрический элемент по меньшей мере с одной термопарой (1), которая имеет n-легированный и р-легированный термоэлектроды (3а, 3b) из полупроводникового материала. Термоэлектроды (3а, 3b) простираются между горячей и холодной стороной (19, 20) термоэлектрического элемента. Термоэлектрический элемент включает в себя носитель (8), причем...

Изобретение относится к термоэлектрическому преобразованию энергии, например, в выпускных системах отработавших газов автомобилей для эффективного использования энергии. Сущность: устройство содержит термоэлектрический генератор с поглощающей тепло от источника тепла горячей стороной, отдающей тепло в теплоотвод холодной стороной и электрическими подключениями для отдачи электрической энергии с...

Изобретение относится к термоэлектричеству. Технический результат: получение термоэлектрического элемента с высоким термическим сопротивлением, который требует меньше полупроводникового материала. Сущность: термоэлектрический элемент содержит подложку с передней стороной подложки и расположенной напротив передней стороны подложки задней стороной подложки, первый контакт, который в виде пленки нане...