Лепешкин С.А. (RU)

Изобретение относится к высокочастотному нагреву диэлектриков (полупроводников) и может быть использовано в машиностроении, электронной и химической промышленности. Способ нагрева диэлектрического или полупроводникового материала заключается в предварительном нагреве материала высокочастотным электромагнитным полем в два этапа: на первом этапе осуществляют нагрев материала до 100-400°С при...