Скупов В.Д. (RU)

Использование: изобретение относится к неразрушающим способам диагностики структурного совершенства эпитаксиальных слоев кремния, выращенных на диэлектрических подложках, и может использоваться в технологии микроэлектроники для контроля качества приборных слоев в композиции типа “кремний на сапфире”. Технический результат: повышение чувствительности эллипсометрического контроля дефектности пленок...

Использование: изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для формирования в кристаллах областей с различным типом и величиной электропроводности с помощью имплантации ионов средних (10-500 кэВ) энергий. Технический результат: повышение концентрации электрически активной примеси и степени однородности распределения в легированном...