Гамарц Е.М.
Изобретатель Гамарц Е.М. является автором следующих патентов:
Способ определения рекомбинационных параметров полупроводниковых материалов
Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников и может быть использовано для контроля рекомбинационных параметров стандартных полупроводниковых пластин - скорости поверхностной рекомбинации и объемного времени жизни неосновных носителей заряда. Цель изобретения обеспечение возможности раздельного определения объемного времени жизни и скорости поверхностей...
1356901Устройство для измерения двулучепреломления
Изобретение относится к области поляризационно-оптических исследований и может быть использовано для бесконтактного контроля внутренних упругих напряжений в изотропных материалах. Цель изображения расширение области применения устройства и обеспечение определения осей двулучепреломления. Устройство включает монохроматический источник 1 излучения, которое, пройдя расширитель 2 светового пу...
1365898Способ определения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах
Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля времени жизни неравновесных носителей заряда в стандартных двусторонне полированных пластинах. Сущность изобретения: способ определения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах, основанный на облучении пластин зондирующим ИК-излучением с длиной волны из...
2006987Оптический абсорбционный газоанализатор
Использование: изобретение относится к измерительной технике, а именно к устройствам для определения концентрации газов. Сущность изобретения: газоанализатор содержит два источника электромагнитного излучения с длиной волны 1 из области поглощения и длиной волны 2 из области прозрачности анализируемого газа, газовую кювету, выполненную в виде полости, фокусирующим элементом которой являет...
2109269