Бокарев В.П. (RU)

Использование: в микроэлектронике, а именно в способах фотолитического травления поверхности пластин в процессе изготовления сверхбольших интегральных схем. Сущность изобретения: способ фотолитического травления двуокиси кремния включает травление поверхности SiO2 в гексафториде серы при воздействии вакуумного ультрафиолетового излучения (ВУФ) от дейтериевой лампы. В травящий газ дополнительно вво...