Рындин Е.А. (RU)

Использование: изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно - к интегральным полевым транзисторным структурам СБИС. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение быстродействия транзистора за счет обеспечения высокой подвижности электронов в канале при высокой их концентрации, снижения скорости деградации характеристик тр...