Ичкитидзе Л.П. (RU)

Использование: в области криоэлектроники, для создания тонкопленочных криогенных устройств на сверхпроводниках. Сущность изобретения: датчик слабого магнитного поля содержит диэлектрическую подложку из сапфира и магниточувствительный элемент, в качестве которого использована гетероэпитаксиальная ниобиевая пленка. Техническим результатом заявленного изобретения является понижение пороговой чувствит...