Земсков М.В. (RU)

Использование: изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для формирования в кристаллах областей с различным типом и величиной электропроводности с помощью имплантации ионов средних (10-500 кэВ) энергий. Технический результат: повышение концентрации электрически активной примеси и степени однородности распределения в легированном...