Балаев Д.А. (RU)

Изобретение относится к области электроэнергетики, криоэлектроники. Техническим результатом изобретения является получение пористого материала на основе висмутового высокотемпературного сверхпроводника, обладающего высокой силой пиннинга и высокой силой левитации. В способе получения пористой высокотемпературной сверхпроводящей керамики на основе висмута Pb0.3Bi1.8Sr1.9Ca2Cu3Ox, включающем спекани...