Михляев С.В. (RU)
Изобретатель Михляев С.В. (RU) является автором следующих патентов:
![Способ измерения диаметра кристалла в ростовой установке Способ измерения диаметра кристалла в ростовой установке](https://img.patentdb.ru/i/200x200/8f7038263a23c85b906e7813543c1579.jpg)
Способ измерения диаметра кристалла в ростовой установке
Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для измерения диаметра кристалла и уровня расплава в зоне кристаллообразования. Сущность изобретения: Способ изобретения осуществляют с помощью двух измерителей, установленных под разными углами к вертикали в вертикальной плоскости, пересекающей поверхность расплава, при этом формируют два двумерных изображения границ...
2261298![Способ измерения уровня расплава и диаметра кристалла в ростовой установке Способ измерения уровня расплава и диаметра кристалла в ростовой установке](https://img.patentdb.ru/i/200x200/b2f529d345dfbc35d91d2b183c9e2e11.gif)
Способ измерения уровня расплава и диаметра кристалла в ростовой установке
Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в ростовых установках для измерения диаметра кристалла и уровня расплава как в центре тигля, так и в зоне кристаллообразования. Способ измерения уровня расплава и диаметра кристалла в ростовой установке, в котором с помощью датчика уровня измеряют уровень расплава в тигле на выбранном расстоянии от его оси вращения, с...
2263165