Игнатов П.В. (RU)

Использование: микроэлектроника, технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах, изготовленных с использованием методов самосовмещенной технологии. Сущность изобретения: в способе изготовления биполярного транзистора, включающем нанесение на подложку кремния первого слоя окисла кремния и первого слоя поликристаллического кремния, легирование первого слоя поликристаллического...

Использование: в интегральной микроэлектронике при изготовлении полупроводниковых интегральных схем типа программируемых логических матриц, электрически программируемых постоянных запоминающих устройств. Сущность изобретения: способ изготовления программируемых элементов в составе ИС включает формирование на полупроводниковой подложке с элементами ИС первого слоя из материала на основе алюминия, п...