Пороховниченко Л.П. (RU)

Изобретение относится к полупроводниковым магниточувствительным датчикам, использующим эффект Холла. Сущность: датчик магнитного поля содержит арсенидогаллиевый кристалл, состоящий из полуизолирующей подложки, магниточувствительного эпитаксиального слоя электронного типа проводимости, токовых и потенциальных контактов, в котором толщина магниточувствительного слоя (d) задана в пределах: d=(0,2-1,5...