Лаврентьев Владимир Ильич (RU)

Изобретение относится к технологии получения силана для изготовления особо чистого полупроводникового кремния, используемого в силовой электронике, а также кремниевых пластин для производства сверхбольших интегральных схем и для формирования различных кремнийсодержащих слоев и пленочных покрытий в микроэлектронике. Силицид лития помещают в реактор барабанного типа, затем реактор вакуумируют, нагре...