ЗОННЕНШАЙН Раймунд (DE)

В заявке описывается способ получения органосилилалкилполисульфанов общей формулы (I) (R1R2R3SiR4)2Sx, осуществляемый взаимодействием органосилилалкилполисульфанов общей формулы (II) (R1R2R3SiR4)2Sy с ионным сульфидом общей формулы (III) M+ 2S2- и с органосилилалкилгалогенидом общей формулы (IV) R1R2R3SiR4X, при этом длинноцепочечный органосилилалкилполисульфан общей формулы (II) и органос...

Изобретение может быть использовано в химической и электронной промышленности. Кремний высокой чистоты получают термическим разложением силансодержащей смеси в газовой фазе с осаждением компактного слоя кремния. Используемая газовая смесь содержит моносилан, монохлоросилан и, если желательно, другие силаны. Предложенное изобретение позволяет получить высокочистый кремний при снижении образования...

Изобретение может быть использовано для получения пылевидных кремния, германия, углерода, титана, циркония и их смеси, используемых в электронике. Устройство для термического разложения включает сосуд под давлением 1, реакционную трубку 2, открытый конец 2 с которой продолжается в сосуд под давлением 1, а другой конец которой расположен вне его и снабжен средством подачи газа 3. Продольная ось р...

Изобретение может быть использовано для получения силанов общей формулы HnSiCl4-n, где n=1, 2, 3 и/или 4 посредством дисмутации по меньшей мере одного относительно высокохлорированного силана в присутствии катализатора. Устройство состоит из, по меньшей мере, одной дистилляционной колонны 1, снабженной одной тарелкой 4 с патрубком, и одного бокового реактора 2 со слоем 3 катализатора, соединенным...

Изобретение относится к установке и способу непрерывного производства моносилана и тетрахлорсилана посредством каталитической дисмутации трихлорсилана при рабочей температуре и давлении от 1 до 50 бар. Трихлорсилан предварительно нагревается в теплообменнике и подается в противоточный каталитический реактор. Смесь продуктов, образованная в противоточном реакторе, по крайней мере, частично конденс...

Изобретение относится к солнечным элементам и к новому использованию тетрахлорида кремния. Способ производства кремниевой пленки на поверхности субстрата методом осаждения паров, исходя из предшественника на основе кремния, заключается в том, что используемый предшественник представляет собой тетрахлорид кремния, покрытый субстрат очищают или текстурируют, затем диффундируют из газовой фазы или д...