Барышников В.И.

 (19)SU(11)524354(13)A1(51)  МПК 6    B64C25/14, B64C25/50, B64C25/58(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 07.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) УБИРАЮЩЕЕСЯ ШАССИ ЛЕТАТЕЛЬНОГО АППАРАТА Изобретение относится к авиационной технике и может быть применено в управляемых стойках шасси летательных аппаратов. На существующих ст...

 (19)SU(11)575838(13)A1(51)  МПК 6    B64C25/50(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 07.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ РАЗВОРОТОМ ПЕРЕДНЕЙ СТОЙКИ ШАССИ ЛЕТАТЕЛЬНОГО АППАРАТА Изобретение относится к авиационной технике, в частности к конструкции шасси, и может быть использовано для управления разво...

 ОПОРА ЛЕТАТЕЛЬНОГО АППАРАТА , содержащая опорный элемент, закрепленный шарнирно на конце заполненного газом пустотелого штока, поршень которого размещен в полости промежуточного штока, помещенного своим поршнем в основной цилиндр, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности работы, на крышке поршня пустотелого штока выполнен цилиндрический выступ, взаимодействующий с закрепленным...

 ОПОРНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОДЪЕМНИКА, содержащее шаровую головку с хвостовиком и опорное гнездо с пазом для хвостовика в нижней стенке опорного гнезда, отличающееся тем, что, с целью обеспечения удобства монтажа, шаровая головка выполнена усеченной с боковых сторон, в боковой стенке опорного гнезда выполнен вырез под шаровую головку, соединенный с пазом под хвостовик, при этом ширина паза по...

 Изобретение относится к области квантовой электроники, к лазерам на центрах окраски. Цель изобретения - снижение порога накачки и повышение оптической устойчивости центров окраски. Активная лазерная среда представляет собой монокристалл фторида лития, содержащий F2 - центры. Концентрация F2 - центров в среде в единицах коэффициента оптического поглощения равна 100-700 см-1. Для получения...

 Изобретение относится к области квантовой электроники, к лазерам на центрах окраски в кристаллах. Цель изобретения - повышение стабильности концентрации F2 - центров. Кристалл фторида лития облучают сильноточными импульсами электронов с длительностью 10 нс. Энергию электронов устанавливают 200 кэВ, ток в пучке электронов . Облучение проводят при комнатной температуре. За 50 с кристалл обл...

  Изобретение относится к квантовой электронике, к лазерным активным средам на основе монокристаллов с центрами окраски (ЦО). Цель изобретения - снижение порога генерации F+3 -центров при одновременном повышении оптической устойчивости F2 -центров. Для этого лазерная активная среда на основе монокристалла LiF(F2F+3) содержит концентрации рабочих центров, соответствующие коэффициентам погло...

 Способ изготовления лазерных материалов на основе кристалла Al2O3 с центрами окраски, включающий облучение кристалла быстрыми нуклонами и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации рабочих центров окраски, дополнительно облучают кристалл лазерным излучением с длиной волны 0,4 - 0,63 мкм и плотностью мощности 3 - 280 МВт/см2.

 Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам приготовления лазерных сред на основе монокристаллов с центрами окраски. Цель изобретения - снижение порога генерации. Кристалл фтористого лития облучают серией сильноточных импульсов электронов с длительностью каждого импульса 5 нс. Энергию электронов устанавливают 300 кэВ. Облучение проводят при комнатной температуре. За...

 Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к твердотельным лазерным средам на центрах окраски. Целью изобретения является повышение концентрации рабочих центров. В неорганическом соединении в виде оптической керамики создается большее количество рабочих лазерных центров (F2) и меньшее паразитных (F+3) обуславливающих оптические потери, по сравнению с монокристаллическим вариа...

 Способ обработки оксида алюминия для электронно-оптического излучателя, включающий нейтронное облучение и последующую термообработку, отличающийся тем, что, с целью расширения спектра малоинерционного излучения при длительности импульсов свечения под действием электронного облучения < 5 нс, флюенс нейтронов выбирают в интервале 1 1019 - 1 1020 н/см2, а термообработку проводят при 130...

 Изобретение относится к области квантовой электроники, к методам получения кристаллических лазерных сред. Цель изобретения - снижение оптических потерь при одновременном увеличении концентрации центров 0,68 мкм. Способ приготовления лазерной среды включает облучение кристалла быстрыми нуклонами или ускоренными ионами, термообработку и обработку оптическим излучением. Кристалл облучают во...

 1. Малоинерционный катодолюминесцентный материал для твердотельного электронно-оптического излучателя на основе оксида металла, отличающийся тем, что, с целью повышения интенсивности свечения в области 155 - 250 нм, он состоит из оксида магния или бериллия, или алюминия, или алюминия и иттрия с содержанием оптически активных примесей в количестве не более 1 105 мас.%. 2. Материал по п.1,...

 Способ управления спектральным диапазоном малоинерционного сечения твердотельного электронно-оптического излучателя, включающий облучение электронами оксидного кристалла Al2O3 или Y3Al5O12, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет безынерционного выделения спектрального диапазона излучения и возможности плавного изменения одновременно обеих граничных ч...

  Люминесцентный способ определения концентрации центров свечения в кислородо- и фторсодержащих кристаллах включает использование для возбуждения импульса электронов с плотностью мощности не менее 6103Вт и длительностью, составляющей 0,1 от излучательного времени жизни центра. 3 табл. 2 ил. Изобретение относится к аналитическим методам определения концентрации примесных дефектов в вещества...

 Использование: твердотельные спектральные импульсные источники излучения. Сущность изобретения: электронно-оптический излучатель включает источник облучения и излучающий элемент, выполненный в виде световода из кварца с содержанием посторонних примесей не более 1 10-5 мас.%. Световод выполнен в виде спирали, форму и длину которой выбирают в зависимости от назначения излучателя. 3 з. п. ф...

 Использование: в области спектрального анализа. Сущность изобретения: способ включает возбуждение люминесцентных примесей и собственных дефектов электронным пучком, длительность которого составляет 0,1 излучательного времени жизни наиболее короткоживущего центра свечения, регистрацию люминесценции, выявление характеристических полос в спектре люминесценции, идентификацию центров свечения,...

 Изобретение относится к радиационной технике, а именно к рентгеноскопии, рентгенодиагностике. В способе время облучения и регистрации оптического изображения меньше или равно излучательному времени рентгенолюминесцентного преобразователя, а начало экспозиции фотоэлектронного устройства синхронизуют по времени в интервале импульса излучения рентгенолюминесцентного преобразователя. Для реги...