Щепина Л.И.

 Способ изготовления активного элемента твердотельного лазера на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами окраски, включающий облучение ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы активного элемента в непрерывном режиме за счет повышения оптической устойчивости центров окраски, монокристалл после облучения ионизирующим излучением дополнительно по...

 (19)SU(11)1028100(13)A1(51)  МПК 6    C30B17/00, H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ ЛАЗЕРОВ Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам изготовления оптических элементов лазеров (пассивных модуляторов доб...

 Способ создания лазерноактивных центров окраски в монокристалле фторида лития с примесями, включающий термическую обработку и последующее облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации-центров окраски и создания -центров окраски, монокристалл перед термической обработкой предварительно облучают ионизирующим излучением в интервале доз...

 Активный элемент твердотельного лазера на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами окраски, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы активного элемента при одновременном повышении частоты следования импульсов генерации, монокристалл фторида лития дополнительно содержит Mg++ O---комплексы.

 Изобретение относится к области квантовой электроники, к лазерам на центрах окраски. Цель изобретения - снижение порога накачки и повышение оптической устойчивости центров окраски. Активная лазерная среда представляет собой монокристалл фторида лития, содержащий F2 - центры. Концентрация F2 - центров в среде в единицах коэффициента оптического поглощения равна 100-700 см-1. Для получения...

 Изобретение относится к области квантовой электроники, к лазерам на центрах окраски в кристаллах. Цель изобретения - повышение стабильности концентрации F2 - центров. Кристалл фторида лития облучают сильноточными импульсами электронов с длительностью 10 нс. Энергию электронов устанавливают 200 кэВ, ток в пучке электронов . Облучение проводят при комнатной температуре. За 50 с кристалл обл...

  Изобретение относится к квантовой электронике, к лазерным активным средам на основе монокристаллов с центрами окраски (ЦО). Цель изобретения - снижение порога генерации F+3 -центров при одновременном повышении оптической устойчивости F2 -центров. Для этого лазерная активная среда на основе монокристалла LiF(F2F+3) содержит концентрации рабочих центров, соответствующие коэффициентам погло...

 Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам приготовления лазерных сред на основе монокристаллов с центрами окраски. Цель изобретения - снижение порога генерации. Кристалл фтористого лития облучают серией сильноточных импульсов электронов с длительностью каждого импульса 5 нс. Энергию электронов устанавливают 300 кэВ. Облучение проводят при комнатной температуре. За...

 Способ обработки оксида алюминия для электронно-оптического излучателя, включающий нейтронное облучение и последующую термообработку, отличающийся тем, что, с целью расширения спектра малоинерционного излучения при длительности импульсов свечения под действием электронного облучения < 5 нс, флюенс нейтронов выбирают в интервале 1 1019 - 1 1020 н/см2, а термообработку проводят при 130...

 Изобретение относится к области квантовой электроники, к методам получения кристаллических лазерных сред. Цель изобретения - снижение оптических потерь при одновременном увеличении концентрации центров 0,68 мкм. Способ приготовления лазерной среды включает облучение кристалла быстрыми нуклонами или ускоренными ионами, термообработку и обработку оптическим излучением. Кристалл облучают во...

 1. Малоинерционный катодолюминесцентный материал для твердотельного электронно-оптического излучателя на основе оксида металла, отличающийся тем, что, с целью повышения интенсивности свечения в области 155 - 250 нм, он состоит из оксида магния или бериллия, или алюминия, или алюминия и иттрия с содержанием оптически активных примесей в количестве не более 1 105 мас.%. 2. Материал по п.1,...

 Способ управления спектральным диапазоном малоинерционного сечения твердотельного электронно-оптического излучателя, включающий облучение электронами оксидного кристалла Al2O3 или Y3Al5O12, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет безынерционного выделения спектрального диапазона излучения и возможности плавного изменения одновременно обеих граничных ч...

  Люминесцентный способ определения концентрации центров свечения в кислородо- и фторсодержащих кристаллах включает использование для возбуждения импульса электронов с плотностью мощности не менее 6103Вт и длительностью, составляющей 0,1 от излучательного времени жизни центра. 3 табл. 2 ил. Изобретение относится к аналитическим методам определения концентрации примесных дефектов в вещества...

 Использование: в области спектрального анализа. Сущность изобретения: способ включает возбуждение люминесцентных примесей и собственных дефектов электронным пучком, длительность которого составляет 0,1 излучательного времени жизни наиболее короткоживущего центра свечения, регистрацию люминесценции, выявление характеристических полос в спектре люминесценции, идентификацию центров свечения,...