Близнецов В.Н.

 Использование: микроэлектроника, производство БИС и СБИС. Сущность изобретения: способ плазменного травления контактных окон в изолирующих и пассивирующих слоях диэлектриков на основе кремния, включает обработку слоя диэлектрика в индивидуальном диодном реакторе при давлении от 300 до 1200 Па и плотности ВЧ-мощности от 4,0 до 8,0 Вт/см2 в плазме четырехкомпонентной смеси при следующем соо...

 Использование: микроэлектроника, производство БИС и СБИС. Сущность изобретения: способ планаризации интегральных схем путем плазменного травления в индивидуальном диодном реакторе при давлении от 150 до 600Па и плотности ВЧ мощности от 3,5 до 8,0 Вт/см2 в четырехкомпонентной смеси при следующем соотношении компонентов, об. % : октофторпропан или тексафторэтан 13 - 70, гексафторид серы или...

 Использование: технология изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной (ССТ) технологии с использованием поликремния на кремнии. Сущность изобретения: процесс селективного травления поликремния до кремния предусматривает покрытие пластины слоем диэлектрика до осаждения слоя поликремния, удаление слоя диэлектрика с поверхности плас...