Гущин О.П.

 Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности и процента выхода годных схем за счет улучшения планаризации рельефа проводников. Способ включает следующие операции. На подложке формируют проводники. Наносят диэлектрическую пленку. Наносят пленку резиста. Над центральной частью поверхности проводников пле...

 Использование: микроэлектроника, производство БИС и СБИС. Сущность изобретения: способ плазменного травления контактных окон в изолирующих и пассивирующих слоях диэлектриков на основе кремния, включает обработку слоя диэлектрика в индивидуальном диодном реакторе при давлении от 300 до 1200 Па и плотности ВЧ-мощности от 4,0 до 8,0 Вт/см2 в плазме четырехкомпонентной смеси при следующем соо...

 Использование: микроэлектроника, производство БИС и СБИС. Сущность изобретения: способ планаризации интегральных схем путем плазменного травления в индивидуальном диодном реакторе при давлении от 150 до 600Па и плотности ВЧ мощности от 3,5 до 8,0 Вт/см2 в четырехкомпонентной смеси при следующем соотношении компонентов, об. % : октофторпропан или тексафторэтан 13 - 70, гексафторид серы или...

 Использование: технология изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной (ССТ) технологии с использованием поликремния на кремнии. Сущность изобретения: процесс селективного травления поликремния до кремния предусматривает покрытие пластины слоем диэлектрика до осаждения слоя поликремния, удаление слоя диэлектрика с поверхности плас...

 Использование: в микроэлектронике для травления поверхности пластин в процессе изготовления сверхбольших интегральных схем. Сущность изобретения: способ реактивно-ионного травления нитрида кремния включает травление поверхности Si3N4 в плазме газовой смеси хладона с кислородом и аргоном. В качестве хладона используют 1,1,2,2-тетрафторэтан (С2F4Н2). Техническим результатом является увеличе...

 Использование: в микроэлектронике для очистки поверхности пластин в процессе изготовления сверхбольших интегральных схем. Сущность: помещают очищаемую пластину в вакуумную камеру и обрабатывают поверхность пластины интенсивной струей криоаэрозоля азота и аргона, с добавками примеси кислорода в присутствии ультрафиолетового излучения с длиной волны менее 200 нм. Технический результат изобр...

 Сопло ракетного двигателя содержит расширяющуюся сверхзвуковую часть, внутренняя теплозащита которой выполнена спиралевидной навивкой армирующей ленты. Внутренняя теплозащита сверхзвуковой части сопла содержит армирующее волокно, например углеродное или кремнеземное, и связующее, например, из фенолформальдегидной смолы. В процессе абляции связующего внутренняя теплозащита образует спирале...