Займидорога Олег Антонович (RU)

Изобретение относится к области физической оптики, в частности к устройствам для исследования свойств веществ оптическими методами, и может быть использовано для оптической спектроскопии веществ, имеющих обусловленную их структурными особенностями анизотропию исследуемых свойств. Устройство включает источник оптического излучения, монохроматор указанного излучения в виде набора светофильтров, кюве...

Изобретение относится к области физической оптики, в частности к устройствам для исследования свойств веществ оптическими методами. Сущность изобретения: в устройство для оптической спектроскопии веществ, включающее источник оптического излучения, монохроматор указанного излучения в виде набора светофильтров, кювету для размещения исследуемого материала, фотоэлектрический преобразователь и регистр...

Использование: для изготовления оптических фильтров. Оптическое стекло из гетероэлектрика включает прозрачную матрицу, например SiO2, с распределенными в ней наночастицами полупроводника, например Ве2Те3, с линейными размерами много меньше длин волн оптического спектра. Указанные наночастицы имеют форму эллипсоидов вращения с отношением длин малых полуосей а к длинам больших полуосей b в интервале...

Изобретение может быть использовано в производстве солнечных фотоэлементов. Преобразователь по изобретению содержит по крайней мере один фоточувствительный слой, обеспечивающий генерацию фототока при поглощении электромагнитного излучения, а также токосъемные электроды. При этом преобразователь также содержит металлические наночастицы размером порядка или менее длины волны в максимуме спектра пада...

В фотопреобразователе с двухсторонней рабочей поверхностью, содержащем диодные структуры, каждая с n+-р (р+-n) переходом на лицевой поверхности кремниевой пластины и изотипным р-р+ (n-n+) переходом в базовой области на тыльной поверхности кремниевой пластины, толщина фотопреобразователя соизмерима с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, диодные структуры с n+-р (р+-n) п...

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к материалам, воздействующим на электромагнитные поля с целью управления ими и их преобразования, и может быть использовано при создании гетероэлектриков с наперед заданными оптическими, электрическими и магнитными характеристиками. Сущность изобретения: гетероэлектрик для воздействия на электромагнитные поля состоит из носителя и в...

Дипольный нанолазер для генерации когерентного электромагнитного излучения включает двухуровневую систему в форме квантовой точки и резонатор для когерентного электромагнитного излучения. Резонатор, включающий металлическую или полупроводниковую наночастицу и электроконтактные пластины, содержит дополнительно еще одну наночастицу, которая расположена от указанной наночастицы и от указанной кванто...

Изобретение может быть использовано в производстве солнечных фотоэлементов. Фотоэлектрический преобразователь электромагнитного излучения в электрический ток с градиентным профилем легирующей примеси содержит p-n переход, глубиной 250-1000 нм, с легирующей примесью в n-слое или в p-слое 5×1019 см-3 соответственно; металлические наночастицы размером порядка 100 нм из металлов (золото или серебро)...