Портной Ефим Лазаревич (RU)
Изобретатель Портной Ефим Лазаревич (RU) является автором следующих патентов:
Твердотельный лазер с зигзагообразным ходом лучей
Изобретение относится к области лазерной техники и может быть использовано при разработке и изготовлении лазерных устройств с повышенной мощностью излучения. Твердотельный лазер с зигзагообразным ходом лучей содержит активный элемент, источники возбуждающего излучения, глухое и полупрозрачное зеркала, теплоотводящие элементы, оптические поглотители. Активный элемент в форме прямоугольного параллел...
2269848Твердотельный лазер с зигзагообразным ходом лучей
Твердотельный лазер с зигзагообразным ходом лучей содержит активный элемент в форме бруска прямоугольного поперечного сечения, источники возбуждающего излучения, теплоотводящие элементы, глухое и полупрозрачное зеркала, установленные под углом к переднему торцу активного элемента, обеспечивающим целое число зигзагов лазерного луча между передним и задним торцами активного элемента. Каждый торец ак...
2295183Способ лазерного формирования изображений в оптически прозрачной твердой среде
Изобретение относится к способам создания изображений внутри оптически прозрачных твердых сред путем их лазерной обработки при создании декоративных и художественных изображений внутри прозрачной твердой среды, изготовлении сувениров и другой аналогичной продукции. Способ лазерного формирования изображений в оптически прозрачной твердой среде включает фокусирование импульсного лазерного излучения...
2295506Многоцветное светоизлучающее устройство с использованием микрорезонатора
Светоизлучающее устройство включает в себя первый и второй объемные резонаторы. Первый объемный резонатор имеет активный слой, в котором свет генерируется при электрическом возбуждении. Свет с соответствующей длиной волны, генерируемый из активного слоя, усиливается второй структурой распределенного брэгговского отражателя и металлическим отражающим слоем, усиленный свет проходит во второй объемны...
2349989Двухсекционный лазер
Двухсекционный лазер на основе соединений AlGaAs/GaAs включает ограниченную двумя зеркалами подложку GaAs n-типа, на которой расположены поглощающая и усиливающая секции. Секции изолированы друг от друга зазором из полупроводникового материала с имплантированными в него тяжелыми ионами. Каждая секция содержит последовательно расположенные на упомянутой подложке буферный слой GaAs n-типа, переходн...
2383093