Горнев Евгений Сергеевич (RU)
Изобретатель Горнев Евгений Сергеевич (RU) является автором следующих патентов:
Способ измерения высоты ступенек в произвольных многослойных структурах
Изобретение относится к оптической контрольно-измерительной технике и может быть использовано для измерения высоты ступенек, полученных любым способом в однородном материале или в произвольной многослойной структуре. Сущность изобретения заключается в измерении эллипсометрических параметров отдельно для пучков света, отраженных от областей по обе стороны от ступеньки (с использованием для ступенек...
2270437Способ радиационно-индуцированного газового скалывания хрупких кристаллических материалов (варианты)
Изобретение относится к области технологии производства тонких плоскопараллельных пластин из хрупких кристаллических материалов и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых устройств типа "полупроводник на изоляторе", а также поверхностных субмикронных углублений различного геометрического профиля при производстве микроэлектронных устройств. Технический результат изобретения заключ...
2297691Тестовый объект для калибровки растровых электронных и сканирующих зондовых микроскопов
Изобретение относится к области измерения малых длин отрезков, характеризующих геометрические параметры профиля элементов рельефа поверхности твердого тела, в нанометровом диапазоне (1-1000 нм), проводимого с помощью растровых электронных (РЭМ) и сканирующих зондовых (СЗМ) микроскопов. Техническим результатом является повышение точности, уменьшение времени измерений малых длин отрезков, характериз...
2325619Полевой датчик холла
Полевой датчик Холла (ПДХ) относится к области электронных датчиков магнитного поля и может быть использован в измерительной технике, системах безопасности, автоматике, робототехнике. ПДХ содержит диэлектрическую подложку с расположенным на ней полупроводниковым каналом, выполненным из полупроводникового алмаза и имеющим два омических токоподводящих контакта на концах канала и два омических холло...
2390879Способ удаления органических остатков с пьезоэлектрических подложек
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления интегральных пьезоэлектрических устройств - фильтров, резонаторов, линий задержки на поверхностных акустических волнах. Способ включает операции вакуумирования и обработки подложек в кислородсодержащей плазме. Подложки обрабатывают в плазме смеси кислорода и инертного газа, содержащей 5-12 об.% кислорода...
2406785Способ изготовления мембранных структур
Изобретение относится к области электроники и предназначено для изготовления дискретных и матричных мембранных структур на основе керамики, служащих основой различных сенсоров, акустических приборов и других твердотельных изделий электроники. Техническим результатом изобретения является расширение функциональности дискретных и матричных мембранных структур на основе пьезокерамики, а также повышен...
2422942Прецизионный детектирующий узел ионизирующего излучения
Изобретение относится к средствам для детектирования ионизирующего излучения, а именно к конструкции детектирующего узла для получения распределения интенсивности принимаемого ионизирующего излучения по пространственной или угловой координате. Технический результат - повышение воспроизводимости результатов измерений детектирующим узлом ионизирующего излучения и упрощении его конструкции. В наибол...
2439618Пьезокерамический материал
Изобретение относится к пьезокерамическим материалам и может быть использовано при создании пьезопреобразователей для приборов высокотемпературной виброметрии, УЗ-аппаратуры для дефектоскопии и дефектометрии, УЗ-медицинской диагностической аппаратуры, геофизической УЗ-аппаратуры и высокочастотной гидроакустической аппаратуры (звуковидение). Пьезокерамический материал на основе системы твердых рас...
2453518Способ изготовления фотошаблона для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами
Изобретение относится к области микроэлектроники, а точнее к способам изготовления фотошаблонов для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами, и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов для технологии изготовления акустоэлектронных устройств на поверхностных и объемных акустических волнах. Технический результат - к N раз уменьшение неровности края п...
2470336Способ изготовления штампа для наноимпринт литографии
Изобретение относится к микроэлектронике, к способам изготовления штампов для наноимпринт литографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами для использования при изготовлении полупроводниковых устройств. Сущность изобретения: для уменьшения неровности края воспроизводимого субмикронного либо наноразмерного рисунка на штампе и уменьшения стоимости изготовления штампа для наноимпринт ли...
2476917Тестовый объект для калибровки микроскопов в микрометровом и нанометровом диапазонах
Изобретение относится к области калибровки оптических цифровых и конфокальных микроскопов, растровых электронных микроскопов и сканирующих зондовых микроскопов при измерении микронных и нанометровых длин отрезков. Тестовый объект для калибровки микроскопов выполнен в виде канавочных структур, стенки которых имеют наклонный профиль, плоское основание и разную ширину на поверхности и на дне. Для в...
2519826Способ определения температуры пористого слоя по изменениям показателя преломления при адсорбции
Изобретение относится к области измерений температуры тонких поверхностных слоев, в частности пористого диэлектрического слоя в химической промышленности (катализ), при изготовлении оптических и химических сенсоров, а так же в процессе криогенного травления диэлектриков в технологии микроэлектроники. Заявлен бесконтактный способ измерения температуры пористого слоя, характеризующийся тем, что те...
2602421Способ повышения плотности тока и деградационной стойкости автоэмиссионных катодов на кремниевых пластинах
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении изделий светоиндикаторной техники и эмиссионной электроники на основе автоэлектронной эмиссии матрицы многоострийных углеродных эмиттеров на пластинах монокристаллического кремния. Изготовление матрицы многоострийного автоэмиссионного катода осуществляют на пластинах монокристаллического кремния дырочног...
2654522