Баринов Илья Николаевич (RU)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений. Полупроводниковый преобразователь давления содержит кремниевую мембрану с утолщенным периферийным основанием, выполненную из кремния n-типа проводимости и легированную бором до концентрации не менее 5·1019 см-3. Мембрана имеет толщину, равную высоте тензорезисторов, сформированных на закре...

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных при повышенных температурах. Технический результат изобретения: повышение чувствительности преобразователя при сохранении собственной резонансной частоты, повышение его...

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении миниатюрных полупроводниковых магнитодиодов для измерительных устройств, основанных на применении гальвано-магнитных принципов преобразования информации. Изобретение направлено на увеличение выхода годных магнитодиодов, повышение точности подгонки параметров магнитодиодов по чувствительности, расширени...

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных при повышенных температурах. Полупроводниковый преобразователь давления содержит мембрану с утолщенным периферийным основанием, с профилем, представляющим собой сочетан...

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении чувствительных элементов датчиков давлений. Изобретение направлено на повышение технологичности способа, повышение выхода годных кристаллов, повышение метрологических характеристик кристаллов. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковых приборов, включающем создание на одной из сторон кремни...

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям абсолютных давлений, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей абсолютного давления. Техническим результатом изобретения является повышение надежности, повышение стабильности параметров и повышение чувствительности преобразователя. Емкостной преобраз...

Изобретение относится к оборудованию для сварки с подогревом, в частности к установкам для диффузионной сварки полупроводников с диэлектриками, и может быть использовано в радиотехнической, электронной и приборостроительной промышленности. Установка содержит камеру нагрева (1), нагреватели (2), токоведущие шины (3), изоляторы (4) и пакетное устройство, состоящее из системы сжатия узлов-заготовок...

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям давлений, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых датчиков давлений. Техническим результатом является повышение чувствительности преобразователя. Резонансный преобразователь давления содержит кремниевую мембрану для измерения давления. На мембране расположены кремни...

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений высокотемпературных сред, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных при повышенных температурах. Сущность: полупроводниковый преобразователь давления содержит мембрану (1) с утолщенным периферийным основанием (...

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных при повышенных температурах. Полупроводниковый преобразователь давления содержит мембрану с профилем, представляющим собой сочетание утонченных участков и жестких центров с концентраторами механических напряжений в...

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений высокотемпературных сред, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных при повышенных температурах. Полупроводниковый преобразователь давления содержит мембрану с утолщенным периферийным основанием. Мембрана имее...

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений высокотемпературных сред, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных при повышенных температурах. Полупроводниковый преобразователь давления содержит мембрану с утолщенным периферийным основанием. Мембрана имее...

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей силы, механических напряжений и деформаций, работоспособных при повышенных и пониженных температурах. Кремниевый камертонный преобразователь механических напряжений и деформаций содержит механический резонатор с ножками в форме сдвоенного к...

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям давлений, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых датчиков давлений. Сущность: преобразователь давления содержит кремниевую мембрану (1), предназначенную для измерения давления, с расположенным на ней кремниевым резонатором (2). Дополнительно преобразователь содерж...