Козин Сергей Алексеевич (RU)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений. Полупроводниковый преобразователь давления содержит кремниевую мембрану с утолщенным периферийным основанием, выполненную из кремния n-типа проводимости и легированную бором до концентрации не менее 5·1019 см-3. Мембрана имеет толщину, равную высоте тензорезисторов, сформированных на закре...

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных при повышенных температурах. Технический результат изобретения: повышение чувствительности преобразователя при сохранении собственной резонансной частоты, повышение его...

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении миниатюрных полупроводниковых магнитодиодов для измерительных устройств, основанных на применении гальвано-магнитных принципов преобразования информации. Изобретение направлено на увеличение выхода годных магнитодиодов, повышение точности подгонки параметров магнитодиодов по чувствительности, расширени...

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных при повышенных температурах. Полупроводниковый преобразователь давления содержит мембрану с утолщенным периферийным основанием, с профилем, представляющим собой сочетан...

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении чувствительных элементов датчиков давлений. Изобретение направлено на повышение технологичности способа, повышение выхода годных кристаллов, повышение метрологических характеристик кристаллов. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковых приборов, включающем создание на одной из сторон кремни...

Тонкопленочный датчик давления предназначен для работы в условиях воздействия повышенных виброускорений. Датчик содержит цилиндрический корпус (1), упругий элемент (2) в виде выполненной за одно целое с цилиндрическим опорным основанием (3) жесткозащемленной мембраны (4). На мембране (4) сформирована тензочувствительная схема (5) с тензорезисторами (6) и контактными площадками (7). На корпусе (1)...

Изобретение относится к приборостроению и может применяться при изготовлении кремниевых микромеханических датчиков, таких как датчики давления и акселерометры. Сущность изобретения: в способе изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур на кремниевой пластине создают защитный слой, создают контрастный слой из материала, отличающегося от материала защитного слоя, формируют последовател...