Рягузов Александр Владимирович (RU)
Изобретатель Рягузов Александр Владимирович (RU) является автором следующих патентов:
Способ сварки давлением
Изобретение относится к способам сварки давлением металлических выводов и может найти применение в производстве силовых полупроводниковых приборов. Сварку давлением осуществляют следующим образом. К деталям прикладывают начальное давление и в процессе начального давления на V-образный электрод дополнительно подают ультразвуковые колебания. Нагревают их V-образным электродом. Затем прикладывают доб...
2271909Способ бессвинцовистой пайки полупроводникового кристалла к корпусу
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий электронной техники и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем пайки припоями, не содержащими свинец. Сущность изобретения: способ бессвинцовистой пайки полупроводникового кристалла к корпусу включает нанесение цинка на паяемую поверхность кристалла и пайку к основанию...
2278444Способ присоединения кристаллов кремниевых дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем к корпусу с образованием эвтектики кремний-золото
Изобретение относится к электронной технике, в частности к способу сборки полупроводниковых приборов и интегральных схем, включающему пайку кремниевого кристалла к основанию корпуса с образованием эвтектики золото - кремний. Сущность изобретения: способ присоединения кристаллов кремниевых дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем к корпусу с образованием эвтектики кремний - золото...
2298252Способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий (ППИ) и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки. Сущность изобретения: способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу включает нанесение алюминия и олова на паяемые поверхности соответственно кристалла и корпуса...
2313156Система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса
Изобретение относится к области изготовления БИС и СБИС, имеющих большую площадь кристаллов, путем бесфлюсовой пайки в вакууме, водороде, аргоне, формир-газе и др. Оно может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусы силовых полупроводниковых приборов путем пайки различными припоями. Сущность изобретения - система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса содержит...
2336594