PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Рягузов Александр Владимирович (RU)

Изобретатель Рягузов Александр Владимирович (RU) является автором следующих патентов:

Способ сварки давлением

Способ сварки давлением

Изобретение относится к способам сварки давлением металлических выводов и может найти применение в производстве силовых полупроводниковых приборов. Сварку давлением осуществляют следующим образом. К деталям прикладывают начальное давление и в процессе начального давления на V-образный электрод дополнительно подают ультразвуковые колебания. Нагревают их V-образным электродом. Затем прикладывают доб...

2271909

Способ бессвинцовистой пайки полупроводникового кристалла к корпусу

Способ бессвинцовистой пайки полупроводникового кристалла к корпусу

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий электронной техники и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем пайки припоями, не содержащими свинец. Сущность изобретения: способ бессвинцовистой пайки полупроводникового кристалла к корпусу включает нанесение цинка на паяемую поверхность кристалла и пайку к основанию...

2278444

Способ присоединения кристаллов кремниевых дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем к корпусу с образованием эвтектики кремний-золото

Способ присоединения кристаллов кремниевых дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем к корпусу с образованием эвтектики кремний-золото

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способу сборки полупроводниковых приборов и интегральных схем, включающему пайку кремниевого кристалла к основанию корпуса с образованием эвтектики золото - кремний. Сущность изобретения: способ присоединения кристаллов кремниевых дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем к корпусу с образованием эвтектики кремний - золото...

2298252

Способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу

Способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий (ППИ) и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки. Сущность изобретения: способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу включает нанесение алюминия и олова на паяемые поверхности соответственно кристалла и корпуса...

2313156

Система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса

Система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса

Изобретение относится к области изготовления БИС и СБИС, имеющих большую площадь кристаллов, путем бесфлюсовой пайки в вакууме, водороде, аргоне, формир-газе и др. Оно может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусы силовых полупроводниковых приборов путем пайки различными припоями. Сущность изобретения - система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса содержит...

2336594