Каргин Николай Иванович (RU)

Изобретение относится к области электронной техники, может быть использовано в электронно-лучевых установках для управления процессом обработки поверхности объектов и предназначено для использования с электронно-лучевыми пушками, имеющими дополнительный управляющий электрод, находящийся под высоким потенциалом катода. Технический результат - расширение функциональных возможностей устройства, повыш...

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в технологических электронно-лучевых установках совместно с электронно-лучевыми пушками, имеющими дополнительный управляющий электрод, находящийся под высоким потенциалом катода. Технический результат - расширение функциональных возможностей устройства, повышение его надежности и точности управления. В устройство для упр...

Изобретение относится к цифровой технике и может быть использовано в качестве запоминающего устройства. Техническим результатом изобретения является уменьшение размеров элемента, упрощение изготовления, увеличение объема хранимой информации и облегчение доступа к ней вследствие возможности создания как планарных, так и объемных матриц, увеличение времени хранения информации, увеличение количества...

Изобретение относиться к источникам накопления электрического заряда и может быть использовано в качестве аккумулятора электрической энергии. Техническим результатом изобретения является: уменьшение размеров, упрощение технологии изготовления, увеличение объема накапливаемой энергии. Согласно изобретению устройство аккумулирования электрического заряда состоит из омического контакта эмиттера, полу...

Изобретение относится к элементам микро- и наноэлектроники и может быть использовано в качестве резонатора в устройствах микро- и наноэлектроники как элемент, стабилизирующий несущую тактовую частоту. Технический результат, достигаемый при реализации заявленного изобретения, заключается в уменьшении размеров резонатора, ограниченных методом литографии; получении элемента непосредственно в интеграл...

Изобретение относится к области научного приборостроения, позволяет создавать и исследовать объекты размерами до 10-10 метра. Технический результат - возможность реализации растровой электронной микроскопии с высокой разрешающей способностью, определяемой квантовым соотношением неопределенности; ионной микроскопии с разрешением, зависящим от энергии и массы иона; электронной просвечивающей микроск...

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при получении люминесцентного наполнителя в парниковой полиэтиленовой пленке. Синтезируют полупродукт путем приготовления растворов нитратов иттрия и европия, предварительно добавив карбамид в количестве 0,5-2,5 молей на 1 моль оксида иттрия и тиокарбамид. Смесь нагревают до реакции горения, после которой готовят шихту сме...

Изобретение относится к светопреобразующим материалам, применяемым в сельском хозяйстве, медицине, биотехнологии и легкой промышленности. Описывается светопреобразующий материал, включающий матрицу и, по меньшей мере, одно светопреобразующее соединение - люминофор, преобразующий УФ излучение в излучение иных цветов, который имеет размеры частиц от 0,3 до 0,8 мкм и общую формулу: Mex aAy&#x...

Изобретение относится к медицине, конкретно к электрохимическому методу определения адгезионной активности керамики зубного протезирования. Техническим результатом изобретения является уменьшение времени микробиологического анализа. Сущность изобретения: способ определения адгезионной активности керамики зубного протезирования включает потенциометрическое титрование в электрохимической ячейке, сос...

Изобретение относится к области электрохимического анализа растворов, а именно к методике изготовления ионоселективного электрода для прямой потенциометрии. Композиционный электрод может найти применение в производственном, экологическом и медицинском контроле водных растворов на содержание ионов Со2+. Композиционный материал для кобальтселективного электрода представляет собой ионочувствительный...

Изобретение относится к области электрохимического анализа растворов, а именно к методике изготовления ионоселективного электрода для прямой потенциометрии. Композиционный электрод может найти применение в производственном, экологическом и медицинском контроле водных растворов на содержание ионов никеля. Техническим результатом изобретения является улучшение эксплуатационных характеристик датчиков...

Изобретение относится к области электрохимического анализа растворов, а именно к методике изготовления ионоселективного электрода для прямой потенциометрии. Композиционный электрод может найти применение в производственном, экологическом и медицинском контроле водных растворов на содержание ионов серебра. Техническим результатом изобретения является упрощение и удешевление технологии получения чув...

Изобретение относится к промышленной электронике и может быть использовано в электрических устройствах, эксплуатируемых в экстремальных условиях: космос, повышенная радиация, высокие температуры. Технический результат, достигаемый при реализации заявленного изобретения, заключается в расширении параметров применимости карбидокремниевого диода в сравнении с аналогичными кремниевыми и арсенидгаллиев...

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов и может быть использовано на предприятиях химической и электронной промышленности для выращивания монокристаллов сапфира 1-6 категории качества методом Киропулоса из расплавов на затравочный кристалл. Способ включает подготовку шихты, ее загрузку и расплавление посредством нагревательного элемента в вакууме, затравление и вытя...

Изобретение относится к технологии оптоэлектронных приборов и может быть использовано для получения люминесцентных фотонно-кристаллических средств отображения информации с контролируемой направленностью излучения. Способ получения люминесцентных фотонных кристаллов с контролируемой направленностью излучения предусматривает использование в качестве матрицы фотонного кристалла упорядоченной структу...

Изобретение относится к технологии оптоэлектроники и может быть использовано для получения полифункциональных пленочных инвертированных фотонных кристаллов с запрещенной зоной в видимой и ИК-области спектра, и пригоден для производства оптоэлектронных (электрооптических и магнитооптических) приборов на основе инвертированных фотонных кристаллов. Способ получения полифункциональных фотонных криста...

Изобретение относится к светопреобразующему материалу, предназначенному для покрытия парников, теплиц, стен, в качестве материала солнцезащитных зонтов, устройств подсветки и освещения, защитной одежды и элементов такой одежды, суспензий, паст, кремов. Описывается светопреобразующий материал, включающий матрицу и, по меньшей мере, одно композитное соединение, трансформирующее УФ-излучение в излуч...

Изобретение относится к технологии опто- и микроэлектроники и может быть использовано для получения опалоподобных структур. Способ получения фотонно-кристаллических структур на основе металлооксидных материалов включает заполнение темплата, состоящего из монодисперсных микросфер полистирола, растворами металлсодержащих прекурсоров, и последующий отжиг структуры на воздухе при температуре 450-550...

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения слоев карбида кремния при изготовлении микроэлектромеханических устройств, фотопреобразователей с широкозонным окном 3С-SiC, ИК-микроизлучателей. Способ получения тонких эпитаксиальных слоев β-SiC на кремнии монокристаллическом включает распыление керамической мишени SiC путем сканирования по ее поверхнос...

Изобретение относится к полупроводниковым нитридным наногетероструктурам и может быть использовано для изготовления светодиодов ультрафиолетового диапазона с длинами волн в диапазоне 260-380 нм. Ультрафиолетовый светодиод на нитридных гетероструктурах включает металлические электроды p-типа, нитридный слой p-типа, III-нитридную активную область, III-нитридный слой n-типа, сапфировую подложку с т...

Изобретение относится к твердотельной электронике, в частности к технологии изготовления высоковольтных карбидокремниевых полупроводниковых приборов на основе p-n-перехода с использованием ионной имплантации. Технический результат, достигаемый при реализации заявленного изобретения, заключается в получении высоковольтного карбидокремниевого диода на основе ионно-легированных p-n-структур с напря...

Изобретение относится к нитрид-галлиевым транзисторам с высокой подвижностью электронов (GaN HEMT) и в частности к конструкции GaN НЕМТ для высоковольтных применений. Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов выращивается на кремниевой подложке с нанесенной на нее темплейтной структурой толщиной 700-800 нм, состоящей из чередующихся слоев GaN/AlN толщиной не более 10 нм, межд...

Изобретение относится к технологии тонких пленок, в частности к способу формирования равномерных по толщине пленок оксида церия (CeO2) на подложках сложной пространственной конфигурации, и может быть использовано для создания равномерных по толщине пленок оксида церия при решении ряда задач нанотехнологии, энергосберегающих технологий, в электронной, атомной и других областях науки и техники. Сп...

Изобретение относится к полупроводниковым нитридным наногетероструктурам и может быть использовано для изготовления светодиодов видимого диапазона с длиной волны 460±5 нм. Указанный синий флип-чип светодиод на нитридных гетероструктурах содержит металлические электроды p-типа, нитридный слой p-типа, III-нитридную активную область, III-нитридный слой n-типа, подложку из карбида кремния с текстур...

Изобретение относится к приборам твердотельной электроники и, в частности, к конструкции мощных транзисторов для СВЧ применений. Предлагается мощный сверхвысокочастотный транзистор на основе нитрида галлия, состоящий из подложки, гетероэпитаксиальной структуры на основе соединений нитрида галлия, нанесенной на подложку, электродов, включающих исток, затвор и сток, нанесенных на гетероэпитаксиаль...