Молдованов Юрий Исаевич (RU)

Использование: в электронной технике при конструировании корпусов для мощных транзисторов. Техническим результатом изобретения является увеличение максимально допустимой мощности транзистора, повышение надежности, упрощение процесса изготовления корпуса, снижение стоимости транзистора. Сущность изобретения: основание корпуса мощного транзистора выполнено из высокотеплопроводящей керамики - нитрида...

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, включающем изготовление на лицевой стороне диэлектрической подложки топологического рисунка металлизации пленочных проводников и, по крайней мере, одной монтажной площадки для расположения, по крайней мере, одного кристалла навесного компонента, расположение, совмещ...

Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических характеристик, снижение трудоемкости изготовления и повышение надежности гибридной интегральной схемы. Сущность изобретения: способ изготовления гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает изготовление на лицевой стороне диэлектрической подложки топологического рисунка металли...