Дульцев Федор Николаевич (RU)

Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве СБИС, полевых нанотранзисторов, а также устройств оптической волоконной связи. Сущность изобретения: способ создания диэлектрического слоя включает нанесение на подложку исходного образующего слоя и последующее окисление в кислородной плазме. В качестве материала исходного образующего слоя используют металл т...