Елисеев Вячеслав Васильевич (RU)

Изобретение относится к производству силовых модулей на основе диодов, тиристоров, транзисторов и других полупроводниковых приборов и может использоваться в высоковольтной преобразовательной технике для различных отраслей промышленности, транспорта, энергетики, коммунального хозяйства. Технический результат - не менее чем двукратное увеличение напряжения изоляции между выводами и основанием силово...

Изобретение относится к устройствам барьерного разряда. Устройство состоит из плоских дисков электродов 3, 7, между которыми размещена разделительная перегородка 6 с зазором с обеих сторон с установленными опорами 5, размер которых определяет величину зазоров. Электроды выполнены из кремния и его окислов. Полость корпуса с помощью разделительной перегородки, выполненной в виде токопроводящего эл...

Изобретение относится к способам получения композиционных материалов для теплоотводящих оснований полупроводниковых приборов, в частности, композиционного материала Al-SiC, имеющего металлическое покрытие, и изделиям, полученным с использованием этих материалов. Способ включает пропитку порошка SiC расплавом алюминия или алюминиевого сплава и диффузионное соединение пропитанной заготовки с алюми...