Чибиркин Владимир Васильевич (RU)

Изобретение относится к производству силовых модулей на основе диодов, тиристоров, транзисторов и других полупроводниковых приборов и может использоваться в высоковольтной преобразовательной технике для различных отраслей промышленности, транспорта, энергетики, коммунального хозяйства. Технический результат - не менее чем двукратное увеличение напряжения изоляции между выводами и основанием силово...

Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов и может быть использовано при конструировании тиристоров с пониженной амплитудой тока обратного восстановления и увеличенным коэффициентом формы тока обратного восстановления. Техническим результатом изобретения является снижение амплитуды тока обратного восстановления и увеличение коэффициента формы тока обратного восстановления ти...

Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов и может быть использовано при конструировании высоковольтных импульсных полупроводниковых симметричных ограничителей напряжения с малым значением динамического сопротивления и увеличенной энергией лавинного пробоя. Техническим результатом изобретения является увеличение энергии лавинного пробоя высоковольтных импульсных ограничителе...

Изобретение относится к технологии мощных полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе изготовления резистивных элементов полупроводниковых резисторов на каждом i-том резистивном элементе изготавливаемой партии резисторов до облучения измеряется величина изменения сопротивления, после этого партия резисторов делится на к групп с заданным интервалом величины изменения сопротивления...

Изобретение относится к области светотехники и может быть использовано при конструировании световых приборов. Целью данного изобретения является увеличение световой отдачи светового прибора на основе светодиодов. Указанная цель достигается тем, что светодиоды в каждой i-той цепочке подбираются по величинам их прямых напряжений, исходя из соотношения (I): , где UFij - фактическое значение величин...

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов и может быть использовано при разработке высоковольтных полупроводниковых резисторов с заданной зависимостью их сопротивления от приложенного напряжения. Техническим результатом изобретения является разработка конструкции резистивных элементов высоковольтных полупроводниковых резисторов, у которых относительное изменение величины сопротив...

Изобретение относится к конструкции силового полупроводникового прибора. Техническим результатом изобретения является повышение критической скорости нарастания тока при переключении прибора в случае перенапряжений. Сущность изобретения: силовой полупроводниковый прибор, выполненный на основе кремниевой пластины n-типа электропроводности с двумя главными поверхностями, содержащий, по меньшей мере,...

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности получению изделий из металлических композиционных материалов Al-SiC. Может использоваться в качестве оснований и корпусов изделий силовой полупроводниковой техники. Преформу, состоящую из чередующихся пористых заготовок из порошка карбида кремния, включающего не менее двух размерных фракций, и разделительных элементов, размещают в устрой...

Изобретение относится к способам получения композиционных материалов для теплоотводящих оснований полупроводниковых приборов, в частности, композиционного материала Al-SiC, имеющего металлическое покрытие, и изделиям, полученным с использованием этих материалов. Способ включает пропитку порошка SiC расплавом алюминия или алюминиевого сплава и диффузионное соединение пропитанной заготовки с алюми...