Тузовский Константин Анатольевич (RU)

Использование: в кремниевой технологии для получения структур полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе газофазного наращивания эпитаксиальных слоев кремния в каждом ряду подложек создают температурный градиент, при котором верхняя часть подложек каждого ряда нагрета на 10 К меньше, чем нижняя, рост ведется при температуре, на 10-20 К меньшей, чем температура предварительного тра...

Изобретение относится к области технологии получения монокристаллического кремния методом выращивания из расплава. Способ дозагрузки шихты при выращивании монокристаллов кремния по методу Чохральского включает подачу шихты на поверхность расплава в тигле из контейнера с загруженной шихтой, в котором предусмотрена возможность дозированной подачи шихты на поверхность расплава через нижний торец, опу...

Изобретение относится к технологии получения карбида кремния для изготовления приборов СВЧ-техники, оптоэлектроники и силовой техники. Карбид кремния получают из шихты, содержащей нанопорошки кремнийсодержащего (SiO, SiO2, H2SiO3) и углеродсодержащего (углевод общей формулы Cn(H2O)m, где n≥12; m=n-1, многоатомный спирт общей формулы CnH2n+2On, где n≥2, альдегидные либо кетонные производные многоат...